ЕНЕРГОЕФЕКТИВНИЙ ІЧ‑МОДУЛЯТОР З САМОФОКУСУЮЧИМ РОЗПОДІЛОМ НОСІЇВ У ТОРОЇДАЛЬНІЙ ГЕОМЕТРІЇ ДЛЯ СИСТЕМ ЗВ’ЯЗКУ 6G
DOI:
https://doi.org/10.30890/2567-5273.2025-40-01-006Ключові слова:
оптоелектроніка, ІЧ-модулятор, варизонне поле, тороїдальна структура, 6G, гетероструктура.Анотація
Представлено аналітичний огляд сучасного стану та перспектив розвитку інфрачервоних оптоелектронних модуляторів, орієнтованих на використання у фотонних системах зв’язку шостого покоління (6G). Запропоновано нову архітектуру ІЧ-модулятора з тороїдальноюПосилання
Xia F.t., Wang D., Cao J. et al. Vertical barrier heterostructures for reliable and high performance self powered infrared detection // ACS Applied Materials & Interfaces. 2024. Vol. 16, No. 35. P. 46548–46559. DOI: 10.1021/acsami.4c04447.
Niu Z., Zhang B., Zhang Y. et al. Solid state terahertz circuits for 6G: A review // Chinese Journal of Electronics. 2025. Vol. 34, No. 2. P. 373–400. DOI: 10.23919/cje.2023.00.279.
Herrmann E., Gao Hua, Huang Zhixiang et al. Modulators for mid infrared and terahertz light // Journal of Applied Physics. 2020. Vol. 128. No. 14. DOI: 10.1063/5.0025032.
Rogalski A., Hu W., Wang F., Martyniuk P. Performance of low dimensional solid room temperature photodetectors—critical view // Materials. 2024. Vol. 17, No. 18. Art. 4522. DOI: 10.3390/ma17184522.
Malerba M, Pirotta S., Aubin G. et al. Ultrafast (10 GHz) mid-IR modulator based on ultra-fast electrical switching of the light-matter coupling // Applied Physics Letters. 2024. Vol. 125, Art. 041101. DOI: 10.48550/arXiv.2406.18097.
Phuong V. Pham, Srikrishna Chanakya Bodepudi, Khurram Shehzad et al. 2D Heterostructures for Ubiquitous Electronics and Optoelectronics: Principles, Opportunities, and Challenges // Chemical Reviews. 2022. Vol. 121, No. 6., P. 6514-6613. DOI: 10.1021/acs.chemrev.1c00735
Arif I. Inamdar, Hemanth Kumar Bangolla, Kuan-Fu Ho et al. Band Gap Engineering, Dark Conductivity, and Photoconductive Properties of Semiconductive Self-Assembled Rhenium Nanotube by Structural Topology Modification // ACS Applied Electronic Materials 2025. Vol. 7. No. 1. P. 533-541. DOI: 10.1021/acsaelm.4c02012
Perera A.G., Lao Y., Jabegu T., Lei S. Status of extended threshold wavelength split off band IR detectors and quantum material based extension for room temperature operation // Micromachines. 2025. Vol. 16, No. 3. Art. 286. DOI: 10.3390/mi16030286.
Шарапов В.М., Поліщук Е.С. та ін. Датчики. Черкаси: Брама-Україна. 2008. 1072 с.
Вікулін І.М., Назаренко О.А. Електронні датчики. Одеса: ДУІТЗ, 2023. 152 с.
Xi Z., et al. Advances in defect modulation strategies of InSb CQDs for IR photodetection // Journal of Materials Chemistry A. 2025. Vol. 13. P. 7055–7072. DOI: 10.1039/D4TA08486A.
Xi Y., Zhou Y., Cao X. et al. Broadband all optical THz modulator based on Bi₂Te₃/Si heterostructure driven by UV visible light // Micromachines. 2023. Vol. 14, No. 6, Art. 1237. DOI: 10.3390/mi14061237.
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2025 Автори
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
